Görsel mevcut değil
JANTXV2N5014
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JANTXV2N5014 Hakkında
JANTXV2N5014, Microchip Technology tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 900V collector-emitter breakdown voltajı ile güç ve sinyal işleme devrelerinde anahtarlama ve amplifikasyon görevlerini yerine getiren bu transistör, 200mA maksimum collector akımı ve 1W güç dağılımı kapasitesine sahiptir. TO-5 metal kutu paketlemesiyle sağlanan komponent, geniş sıcaklık aralığında (-65°C ile 200°C arası) çalışabilme özelliğine sahip olup, endüstriyel, askeri ve uzay uygulamalarında kullanılan JANTXV serisinin bir üyesidir. Düşük leakage akımı (10nA ICBO) ve belirtilen çalışma koşullarında 30 minimum DC akım kazancı ile kararlı performans sunar.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 20mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-5
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
900 V