Görsel mevcut değil
JANTXV2N5013S
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JANTXV2N5013S Hakkında
JANTXV2N5013S, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipinde bir bipolar junction transistörtür. Maksimum collector akımı 200 mA, collector-emitter breakdown voltajı 800 V olan bu transistör, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılabilir. DC current gain (hFE) minimum 30 değerine sahiptir. TO-39 metal kap paketinde sunulan komponent, geniş çalışma sıcaklık aralığında (-65°C ile 200°C arasında) güvenilir performans gösterir. 1 W maksimum güç dağıtım kapasitesine sahip olan 2N5013, çeşitli analog ve güç yönetimi devrelerinde anahtarlama ve amplifikasyon görevleri için uygun bir seçenektir. Bununla birlikte, parça şu anda üretilmemektedir (obsolete).
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 20mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
800 V