Görsel mevcut değil
JANTXV2N5013
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JANTXV2N5013 Hakkında
JANTXV2N5013, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-5 metal kutu paketinde sunulmaktadır. Maksimum kolektör akımı 200 mA, kolektör-emitter bozulma gerilimi 800 V olan bu komponent, yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. DC akım kazancı (hFE) minimum 30 değeridir (20mA, 10V şartlarında). -65°C ile 200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 1 W maksimum güç dissipasyonuna sahip bu transistör, sinyal amplifikasyonu, anahtarlama ve güç kontrol uygulamalarında tercih edilir. Through Hole montaj tipi ile PCB'ye direkt lehimlenebilir. JANTXV versiyonu, askeri ve havacılık uygulamaları için kalifikasyonu gösterir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 20mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-5
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
800 V