Görsel mevcut değil
JANTXV2N5012
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JANTXV2N5012 Hakkında
JANTXV2N5012, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-5 metal kap paketi ile sunulmaktadır. Maksimum 200 mA kolektör akımı, 700 V kırılma gerilimi ve 1 W güç sınırlaması ile tasarlanmıştır. 25°C, 10V koşullarında minimum 30 DC akım kazancı sağlar. -65°C ile +200°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Düşük kolektör kesme akımı (10 nA ICBO) ve yüksek gerilim dayanımı sayesinde RF amplifikasyon, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında yer bulmuştur. Askeri ve uzay uygulamalarına yönelik JANTXV seviye sertifikasyonuna sahiptir. Güncel tasarımlarda yerine geçerli alternatif bileşenler tercih edilmektedir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 25mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-5
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
700 V