Görsel mevcut değil
JANTXV2N4150
- Üretici
- MACOM Technology Solutions
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- DIODE
JANTXV2N4150 Hakkında
JANTXV2N4150, MACOM tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, military grade JANTXV kalifikasyonuna sahiptir. TO-5 metal kasa ile sunulan bu transistör, 10A maksimum collector akımı ve 70V Vce(max) diyelerine sahiptir. DC current gain (hFE) minimum 40 @ 5A, 5V koşullarında belirtilmiştir. 160W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile güç amplifikasyon, anahtar uygulamaları ve sinyal işleme devreleri için uygundur. -65°C ile +200°C arasında geniş operating temperature aralığında çalışabilen bu bileşen, otomotiv, endüstriyel ve askeri uygulamalarda tercih edilir. Vce saturation değeri 1A base akımında maksimum 2.5V olup, dönem teknolojisinin yüksek frekans ve hızlı anahtarlama gereksinimleri için tasarlanmıştır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 5A, 5V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Part Status
Market
Power - Max
160 W
Supplier Device Package
TO-5
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2.5V @ 1A, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
70 V