Görsel mevcut değil
JANTXV2N3634UB
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JANTXV2N3634UB Hakkında
JANTXV2N3634UB, Microchip Technology tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, SMD paketlemesi ile sunulmaktadır. 140V collector-emitter breakdown voltajı, 1W maksimum güç dağıtımı ve geniş -65°C ile 200°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığı ile belirtilmektedir. 50 @ 50mA, 10V koşullarında 50 minimum DC current gain (hFE) değerine sahiptir. 600mV maksimum VCE saturation voltajı ile 5mA base akımı ve 50mA collector akımında çalışabilir. Genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, sinyal işleme devrelerinde ve düşük güç gerektiren elektronik tasarımlarda kullanılır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 µA
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 50mA, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
4-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
UB
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
140 V