Görsel mevcut değil
JANTXV2N3583
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JANTXV2N3583 Hakkında
JANTXV2N3583, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-66 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 10mA collector akımı, 35W güç dağıtımı ve 175V collector-emitter breakdown voltajı ile karakterize edilir. -65°C ile 200°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında çalışabilir. 500mA akımda 10V Vce'de minimum 40 DC current gain sağlayarak, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Through hole montaj tipi ile PCB'lere kolayca entegre edilebilen bu bileşen, endüstriyel ve askeri uygulamalarda güvenilir performans sunar.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 500mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-213AA, TO-66-2
Part Status
Active
Power - Max
35 W
Supplier Device Package
TO-66 (TO-213AA)
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
175 V