Görsel mevcut değil
JANTXV2N3507AU4
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JANTXV2N3507AU4 Hakkında
JANTXV2N3507AU4, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, askeri ve havacılık uygulamaları için kalifikasyona sahiptir. Maximum 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 1W power dissipation kapasitesiyle, genel amaçlı anahtarlama ve düşük sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. -65°C ile +200°C arasında geniş işletme sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, 3-SMD lead-free yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. DC current gain (hFE) 35 minimum (500mA, 1V'da), maksimum collector cutoff akımı 1µA'dır. Analog ve dijital devrelerde, düşük gürültü gereksinim duyulan uygulamalarda ve sıcak ortamlarda tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 µA
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
35 @ 500mA, 1V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
3-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
U4
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 250mA, 2.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V