Görsel mevcut değil
JANTXV2N3507A
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 50V 3A TO39
JANTXV2N3507A Hakkında
JANTXV2N3507A, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, Askeri sınıf (JANTXV) kalifikasyonu ile sertifikalıdır. TO-39 metal kap paketinde sunulan bu transistör, maksimum 3A kollektor akımı ve 50V kolektor-emiter gerilim dayanımı ile tasarlanmıştır. 1W güç kapasitesi ve -65°C ile +200°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığı, bu bileşeni endüstriyel ve askeri uygulamalar için uygun hale getirir. DC akım kazancı (hFE) minimum 30 değeri ile sürücü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Düşük doyum gerilimi (1.5V) özellikleri sayesinde anahtarlama devrelerinde verimli çalışır.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 1.5A, 2V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 250mA, 2.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V