Görsel mevcut değil
JANTXV2N3507
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JANTXV2N3507 Hakkında
JANTXV2N3507, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, havacılık ve savunma uygulamaları için nitelendirilmiş bir komponenttir. 3A maksimum collector akımı, 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 1W maksimum güç yeteneği ile düşük frekans amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -65°C ile +200°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığında çalışan bu transistör, TO-39 metal kaplı pakette sunulmaktadır. Yüksek güvenilirlik gerektiren endüstriyel, askeri ve havacılık tasarımlarında tercih edilen bir komponenttir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 1.5A, 2V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 250mA, 2.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V