Görsel mevcut değil
JANTXV2N3507
JANTXV2N3507 Hakkında
JANTXV2N3507, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, havacılık ve savunma uygulamaları için nitelendirilmiş bir komponenttir. 3A maksimum collector akımı, 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 1W maksimum güç yeteneği ile düşük frekans amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -65°C ile +200°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığında çalışan bu transistör, TO-39 metal kaplı pakette sunulmaktadır. Yüksek güvenilirlik gerektiren endüstriyel, askeri ve havacılık tasarımlarında tercih edilen bir komponenttir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 1.5A, 2V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 250mA, 2.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V