Görsel mevcut değil
JANTXV2N3501L
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 150V 0.3A
JANTXV2N3501L Hakkında
JANTXV2N3501L, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-5 metal kutu paketinde sağlanan bu bileşen, maksimum 150V Vce (Collector-Emitter) voltajı ve 300mA kolektör akımı ile tasarlanmıştır. 1W güç seviyesinde çalışan transistör, 100 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 400mV saturasyon voltajı sunmaktadır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-65°C ~ 200°C) sayesinde uydu uygulamaları (JANTXV sınıflandırması) ve endüstriyel sistemlerde kullanım için uygundur. Through-hole montaj tipi ile klasik PCB tasarımlarında yer alan bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon devreleri ile genel amaçlı elektronik uygulamalarında tercih edilir. Üretim durdurulmuş olsa da, kalitesi ve güvenilirliği nedeniyle kritik uygulamalardaki arşiv projelerinde hala değerlidir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
300 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Part Status
Market
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-5
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 15mA, 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
150 V