2.000₺ ve üzeri siparişlerinizde kargo ücretsizdir.
JANTXV2N3501 Görsel mevcut değil

Görsel mevcut değil

JANTXV2N3501

Üretici
Microchip
Kılıf / Paket
Açıklama
TRANS NPN 150V 0.3A

JANTXV2N3501 Hakkında

JANTXV2N3501, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup TO-39 metal can paketinde sunulmaktadır. 150V collector-emitter breakdown voltajı ve 300mA maksimum collector akımı ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 1W güç yayma kapasitesi ve -65°C ile 200°C arasında çalışma sıcaklık aralığı ile geniş endüstriyel ve askeri uygulamalara uygundur. DC current gain 150mA collector akımında 100 (minimum) değerinde olup, 400mV saturation voltajı ile düşük kayıplı anahtarlama sağlar. Hassas kontrol devreleri, frekans uygulamaları ve sinyal işleme sistemlerinde tercih edilen bir bileşendir.

Ürün Özellikleri

12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max) 300 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status Active
Power - Max 1 W
Supplier Device Package TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 15mA, 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 150 V