Görsel mevcut değil
JANTXV2N3419S
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 80V 3A
JANTXV2N3419S Hakkında
JANTXV2N3419S, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-39 metal kutulu pakette sunulmaktadır. 80V collector-emitter kırılma voltajı ve 3A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygun bir komponenttir. 1W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. -65°C ile 200°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. DC akım kazancı (hFE) 1A/2V koşulunda 20 (minimum) değerinde belirlenmiştir. Vce doyum voltajı 500mV'dur. Through-hole montaj türü ile eski nesil cihazlarda ve kustom uygulamalarda yaygın olarak tercih edilen ve aktif durumdaki bir komponenttir. Güç yönetimi, switching ve amplifikasyon devrelerinde uygulanabilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
5µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 1A, 2V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V