Görsel mevcut değil
JANTXV2N3250AUB
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- PNP TRANSISTOR
JANTXV2N3250AUB Hakkında
JANTXV2N3250AUB, Microchip Technology tarafından üretilen PNP bipolar junction transistor (BJT) olup, geniş sıcaklık aralığında (-65°C ~ 200°C) çalışır. 60V maksimum collector-emitter gerilimi ve 360mW maksimum güç dağıtım kapasitesi ile düşük güçlü anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Surface mount pakajda (4-SMD, No Lead) sunulan bileşen, 50 minimum hFE (10mA, 1V'de) ve 500mV Vce saturation gerilimine sahiptir. Uzay ve savunma uygulamaları için tasarlanmış JANTXV kalitesi bileşendir. Özellikle sınırlı yer bulunan ve yüksek güvenilirlik gerektiren uygulamalarda tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 nA
Current - Collector Cutoff (Max)
20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 1V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
4-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
360 mW
Supplier Device Package
UB
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V