Görsel mevcut değil
JANTXV2N3250A
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- PNP TRANSISTOR
JANTXV2N3250A Hakkında
JANTXV2N3250A, Microchip Technology tarafından üretilen bir PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup Through Hole montaj türü ile TO-39 metal kutusu paketinde sunulmaktadır. Maximum 200mA kollektor akımına ve 60V collector-emitter yıkılma voltajına sahiptir. 360mW maximum güç tüketimi ile beslemesi kısıtlı uygulamalarda kullanılabilir. -65°C ile +200°C junction sıcaklık aralığında çalışabilme kapasitesine sahip olan bu transistör, gürültü azaltıcı (noise filtering), sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. Minimum 50 DC current gain (hFE) değeri ile sabit özelliklere sahiptir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 1V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
360 mW
Supplier Device Package
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V