Görsel mevcut değil
JANTXV2N2605UB
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- PNP TRANSISTOR
JANTXV2N2605UB Hakkında
JANTXV2N2605UB, Microchip Technology tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). 4-SMD yüzey montajlı paket ile sunulan bu komponent, 60V maksimum collector-emitter gerilimi ve 400mW maksimum güç derecelendirilmesine sahiptir. -65°C ile 200°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve askeri uygulamalara uygun hale getirilmiştir. 150 minimum hFE kazancı ve 300mV doyum gerilimi ile düşük sinyaller için geçiş ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Ses amplifikatörleri, sinyal işleme devreleri, güç anahtarlaması ve kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 nA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
150 @ 500µA, 5V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
4-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
400 mW
Supplier Device Package
UB
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V