Görsel mevcut değil
JANTXV2N2604UB
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- PNP TRANSISTOR
JANTXV2N2604UB Hakkında
JANTXV2N2604UB, Microchip Technology tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek sıcaklık ortamlarında çalışmak üzere tasarlanmıştır. Surface mount 4-SMD paketlemesinde sunulan bu bileşen, -65°C ile +200°C arasında güvenilir performans sağlayacak şekilde geliştirilmiştir. 60V collector-emitter breakdown voltajı ve 400mW maksimum güç yayınıyla, düşük seviye sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. DC current gain değeri 60 (Ic=500µA, Vce=5V koşullarında) ile orta kazanç sağlayan bir transistördür. Vce doyma voltajı 300mV (Ib'de 500µA, Ic'de 10mA) olup, anahtarlama devrelerinde hızlı komutasyona olanak tanır. Endüstriyel, havacılık ve otomotiv uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 nA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 500µA, 5V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
4-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
400 mW
Supplier Device Package
UB
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V