Görsel mevcut değil
JANTXV2N1711S
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JANTXV2N1711S Hakkında
JANTXV2N1711S, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar transistördür. TO-39 metal can paketinde sunulan bu transistör, 500mA maksimum kolektör akımı ve 30V maksimum VCE(BR) breakdown voltajı ile çalışır. 100 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 800mW maksimum güç dağıtma kapasitesi özelliğine sahiptir. -65°C ile +200°C arasında çalışabilen bu komponent, through-hole montajı destekler. Düşük kolektör kesim akımı (10nA) ile standby uygulamalarında da kullanılabilir. Endüstriyel, tüketici ve askeri uygulamalarda sinyal amplifikasyonu, anahtarlama ve düşük işaret seviyesi deteksiyonu için tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 15mA, 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V