Görsel mevcut değil
JANTX2N6338
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JANTX2N6338 Hakkında
JANTX2N6338, Microchip Technology tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistor (BJT) olup yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-3 kılıfında sunulan bu komponent, 200W maksimum güç dağıtma kapasitesine ve 100V collector-emitter breakdown voltajına sahiptir. 30 minimum DC akım kazancı (hFE), 50µA maksimum collector cutoff akımı ve 1.8V maksimum saturation voltajı ile özellikle RF amplifikasyon, güç amplifikasyonu ve anahtarlama devreleri için tasarlanmıştır. -65°C ile +200°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı ile endüstriyel ve askeri uygulamalar için uygundur. Through-hole montajı ile geleneksel PCB tasarımlarına entegre edilebilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 µA
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 10A, 2V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Part Status
Active
Power - Max
200 W
Supplier Device Package
TO-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.8V @ 2.5A, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V