Görsel mevcut değil
JANTX2N5339U3
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- PNP TRANSISTOR
JANTX2N5339U3 Hakkında
JANTX2N5339U3, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, Through Hole montajı için TO-276AA paketinde sunulmaktadır. Maksimum 1W güç kapasitesine sahip olan bu transistör, -65°C ile 200°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. 100V collector-emitter breakdown voltajı ve 1.2V saturation voltajı ile güç elektronikleri, anahtarlama devreleri ve doğrultucu uygulamalarında tercih edilir. DC current gain (hFE) minimum 60 değeri ile orta-güç uygulamalarında kontrol devrelerine uygun olup, 100µA maksimum collector cutoff akımı ile düşük sızıntı karakteristiğine sahiptir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 µA
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 2A, 2V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-276AA
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
U-3 (TO-276AA)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V