Görsel mevcut değil
JANTX2N5339
- Üretici
- MACOM Technology Solutions
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- DIODE
JANTX2N5339 Hakkında
JANTX2N5339, MACOM Technology Solutions tarafından üretilen NPN tipinde bir bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek güvenilirlik endüstrisi uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-39 metal kutu paketi içinde sunulan bu komponent, maksimum 5A collector akımı ve 100V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygun özelliklere sahiptir. 60 minimum DC current gain (hFE) değeri ile istikrarlı amplifikasyon sağlar. -65°C ile +200°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, güç amplifikaları, anahtarlama devreleri, RF uygulamaları ve temas gözetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. JANTX serisi, askeri ve havacılık endüstrisinde güvenilirlik standartlarını karşılamaktadır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 2A, 2V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V