Görsel mevcut değil
JANTX2N3501L
JANTX2N3501L Hakkında
JANTX2N3501L, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). 150V collector-emitter breakdown voltajı ve 300mA maksimum collector akımı ile düşük-orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-5 metal kutu paketinde sunulan bu transistör, 1W maksimum güç disipasyonuna sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 150mA collector akımında 10V VCE'de minimum 100'dür. -65°C ile +200°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığında çalışabilen bu bileşen, endüstriyel kontrol devreleri, rf amplifikatörleri, anahtarlama uygulamaları ve genel amaçlı amplifikasyon devreleri gibi pek çok uygulamada tercih edilmektedir. JANTX versiyonu, askeri ve havacılık standartlarına uygun seçilmiş ve test edilmiş versiyondur.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
300 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-5
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 15mA, 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
150 V