Görsel mevcut değil
JANSR2N3700
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JANSR2N3700 Hakkında
JANSR2N3700, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, Through Hole montaj türüne sahiptir. 500mW maksimum güç kapasitesi ve 80V maksimum Vce breakdown voltajı ile genel sinyal işleme, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. TO-18 metal kasa içerisinde sunulan bu transistör, 100 (minimum) DC akım kazancı, 500mV maksimum doyum voltajı ve -65°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile endüstriyel ve askeri sınıfı uygulamalara uygun tasarlanmıştır. 10nA maksimum kollektör kesme akımı düşük kaçak akım performansı sağlar.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 nA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
TO-18 (TO-206AA)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V