Görsel mevcut değil
JANSR2N3637UB
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- PNP TRANSISTOR
- Ürün Ailesi
- JANSR2N3637
JANSR2N3637UB Hakkında
JANSR2N3637UB, Microchip Technology tarafından üretilen yüksek voltage PNP BJT transistördür. SMD paketinde sunulan bu transistör, 1A maksimum kolektör akımı ve 175V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güçlü uygulamalarda kullanılır. 100 minimum DC current gain (hFE) değeri ile voltaj amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde tercih edilir. -65°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Ses amplifikatörleri, güç yönetimi, motor kontrol ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
4-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
1.5 W
Supplier Device Package
UB
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
175 V