Görsel mevcut değil
JANSR2N3637L
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- PNP TRANSISTOR
JANSR2N3637L Hakkında
JANSR2N3637L, Microchip Technology tarafından üretilen PNP bipolar transistördür. TO-5 metal can paketinde sunulan bu transistör, maksimum 1 A collector akımı ve 175 V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışabilir. DC akım kazancı (hFE) minimum 100 değerine sahiptir. 1 W maksimum güç derecelendirilmesi ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. -65°C ile +200°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığında çalışan bu bileşen, yüksek güvenilirlik gerektiren endüstriyel ve askeri uygulamalarda tercih edilir. Through-hole montaj özelliğiyle klasik PCB tasarımlarına uyumludur.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-5
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
175 V