Görsel mevcut değil
JANSR2N3637
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- PNP TRANSISTOR
JANSR2N3637 Hakkında
JANSR2N3637, Microchip Technology tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-39 metal can paketinde sunulmaktadır. 1W maksimum güç derecelendirmesi ve 175V kolektör-emitter kırılma voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanım için tasarlanmıştır. DC akım kazancı (hFE) 50mA kolektör akımında 100 değerinde belirtilmiştir. -65°C ile +200°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığına sahip olup, voltaj regülatörleri, aydınlatma kontrol devreleri, ses amplifikatörleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 µA
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 50mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
175 V