Görsel mevcut değil
JANSR2N3636UB/TR
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR RH SMALL-SIGNAL BJT
JANSR2N3636UB/TR Hakkında
JANSR2N3636UB/TR, Microchip Technology tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistor (BJT) olup, güvenilirlik sınıflandırması RH (Radiation Hardened) uyumludur. Yüksek voltaj uygulamalarına uygun 175V Vce(BR) breakdown voltajı ve 1.5W maksimum güç derecelendirmesi ile tasarlanmıştır. Surface mount 4-SMD No Lead paketinde sunulan bu transistör, -65°C ile 200°C arasında geniş sıcaklık aralığında çalışabilir. DC current gain (hFE) minimum 50 olup, 50mA kolektör akımında 600mV'a kadar satürasyon voltajı gösterir. Anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, özellikle aerospace ve havacılık endüstrisi gibi radiasyon ortamlarının gerektirdiği kritik sistemlerde kullanılır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 µA
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 50mA, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
4-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
1.5 W
Supplier Device Package
UB
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
175 V