Görsel mevcut değil
JANSR2N3636UB
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- PNP TRANSISTOR
JANSR2N3636UB Hakkında
JANSR2N3636UB, Microchip Technology tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount 4-SMD No Lead paketinde sunulan bu komponent, 175V collector-emitter breakdown voltajına ve 1.5W maksimum güç dissipasyonuna sahiptir. DC current gain değeri 10V, 50mA şartlarında minimum 50'dir. Vce saturation voltajı 5mA base akımı ve 50mA collector akımında 600mV'tur. -65°C ile +200°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, amplifikasyon devreleri ve genel amaçlı PNP transistör gerektiren low-power elektronik tasarımlarında kullanılır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 µA
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 50mA, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
4-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
1.5 W
Supplier Device Package
UB
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
175 V