Görsel mevcut değil
JANSR2N3636
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JANSR2N3636 Hakkında
JANSR2N3636, Microchip Technology tarafından üretilen TO-39 metal kutu paketinde sunulan NPN bipolar transistörüdür. 1W maksimum güç kapasitesi ve 175V maksimum collector-emitter bozulma gerilimi ile orta seviye sinyal işleme ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. -65°C ile 200°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında tercih edilir. Through-hole montajı ile eski tasarımlar ve test platformlarında yaygın olarak yer alır. DC akım kazancı (hFE) 50mA collector akımında minimum 50 değeridir. Ses frekansı amplifikatörleri, anahtarlama devreleri ve endüstriyel elektronik uygulamalarında tercih edilen bir komponenttir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 µA
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 50mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
175 V