Görsel mevcut değil
JANSR2N3634L
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JANSR2N3634L Hakkında
JANSR2N3634L, Microchip Technology tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup TO-5 metal kaplama pakette sunulmaktadır. -65°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklığına sahip bu bileşen, 140V maksimum Vce(BR) darbeye dayanıklılığı ve 1W maksimum güç dissipasyonu özellikleriyle endüstriyel uygulamalarda kullanılmaktadır. DC current gain (hFE) değeri 50mA, 10V koşullarında minimum 50 değerini sağlamakta, 600mV saturation voltajı ile anahtarlama uygulamalarında tercih edilmektedir. Through-hole montajı sayesinde geleneksel devre kartlarına kolayca entegre edilebilen bu transistör, darbe amplifikasyonu, anahtarlama devreler ve sürücü uygulamalarında kullanım alanı bulmaktadır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 µA
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 50mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-5
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
140 V