2.000₺ ve üzeri siparişlerinizde kargo ücretsizdir.
JANSR2N3501 Görsel mevcut değil

Görsel mevcut değil

JANSR2N3501

Üretici
Microchip
Kılıf / Paket
Açıklama
NPN TRANSISTOR

JANSR2N3501 Hakkında

JANSR2N3501, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-39 metal kılıfında sunulan bu transistör, 150V collector-emitter breakdown voltajı ve 500mW maksimum güç derecelendirmesi ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 100 minimum DC current gain (hFE) ile 150mA collector akımında çalışır. 400mV saturation voltajı ile etkili anahtarlama performansı sağlar. -65°C ile +200°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığına sahip olup, endüstriyel ve askeri uygulamalarda tercih edilen aktif bileşendir. Through-hole montaj tipi ile klasik elektronik devrelerine entegrasyonu kolaydır.

Ürün Özellikleri

12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max) 2 µA
Current - Collector Cutoff (Max) 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status Active
Power - Max 500 mW
Supplier Device Package TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 15mA, 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 150 V