Görsel mevcut değil
JANSR2N3440U4/TR
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR RH POWER BJT
JANSR2N3440U4/TR Hakkında
JANSR2N3440U4/TR, Microchip Technology tarafından üretilen yüksek güç NPN BJT transistörüdür. Surface mount 3-SMD paket ile sunulan bu bileşen, 1A collector akımı ve 250V collector-emitter breakdown voltajı ile çeşitli anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 800mW maksimum güç yeteneği ile güç amplifikatörleri, anahtar devreleri, ses sürücüleri ve güç dönüştürücüleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -65°C ile 200°C arasında çalışan bu transistör, endüstriyel ve askeri uygulamalara uygun radyasyon sertifikalı bir komponenttir. 40 minimum DC akım kazanç (hFE @ 20mA, 10V) ve 500mV maksimum Vce saturation voltajı ile verimli anahtar işlemi gerçekleştirir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 20mA, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
3-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
U4
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 4mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
250 V