Görsel mevcut değil
JANSR2N3440U4
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR RH POWER BJT
JANSR2N3440U4 Hakkında
JANSR2N3440U4, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, radyasyon sertifikasyonlu endüstri standardı ürün serisine aittir. Maksimum 250V Vce Breakdown voltajı, 1A kolektör akımı ve 800mW güç kapasitesiyle orta güç seviyesi uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Vce Saturation voltajı 500mV (4mA Ib, 50mA Ic) ile iyi anahtarlama özellikleri sunmaktadır. -65°C ile 200°C (junction) arasında çalışabilen bu transistör, sinyal amplifikasyonu, anahtarlama devreleri ve driver uygulamalarında tercih edilir. SMD paketlemesi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun olup, aktif ürün statüsüyle uzun vadeli tedarik güvencesi sağlamaktadır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 20mA, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
3-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
U4
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 4mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
250 V