Görsel mevcut değil
JANSR2N3439UA/TR
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR RH POWER BJT
JANSR2N3439UA/TR Hakkında
JANSR2N3439UA/TR, Microchip Technology tarafından üretilen yüksek gerilim NPN bipolar transistörüdür. 350V collector-emitter breakdown voltajı ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılan bu komponent, 800mW maksimum güç dağıtımına sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 20mA, 10V'ta minimum 40 değerinde belirtilmiştir. 500mV satürasyon voltajı ile düşük ön kapanış kaybı sağlayan transistör, geniş çalışma sıcaklık aralığında (-65°C ile 200°C arasında) güvenilir performans sunar. Surface mount 4-SMD paket içinde teslim edilen bu bileşen, endüstriyel kontrol devreleri, power management sistemleri ve RF uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 µA
Current - Collector Cutoff (Max)
2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 20mA, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
4-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
UA
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 4mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
350 V