Görsel mevcut değil
JANSR2N3439UA
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JANSR2N3439UA Hakkında
JANSR2N3439UA, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, 4-SMD No Lead paketinde sunulmaktadır. Maksimum collector-emitter breakdown voltajı 350V, maksimum güç dağıtımı 800mW olarak belirtilmiştir. 40 (min) DC current gain (hFE) ile 20mA collector akımında ve 10V VCE de çalışır. Maksimum saturation voltajı 500mV (4mA tabanında, 50mA collector akımında) olup, -65°C ile 200°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. 2µA maksimum collector cutoff akımı ile düşük sızıntı akımı özelliği taşır. Yüksek voltajlı anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve sinyal amplifikasyon işlevlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 µA
Current - Collector Cutoff (Max)
2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 20mA, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
4-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
UA
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 4mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
350 V