Görsel mevcut değil
JANSR2N2907AUB
JANSR2N2907AUB Hakkında
JANSR2N2907AUB, Microchip Technology tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount 3-SMD paket tasarımında sunulan bu komponent, maksimum 600mA kolektör akımı ve 60V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışabilir. 500mW güç kapasitesi ve -65°C ile 200°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. DC akım kazancı (hFE) minimum 100 değerine sahiptir. Sinyal amplifikasyonu, anahtarlama uygulamaları, ses sistemleri ve genel analog devre tasarımlarında kullanılan, yüksek güvenilirlik standartlarına uygun üretilmiş endüstriyel grade transistördür.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
3-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
UB
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
