Görsel mevcut değil
JANSR2N2907AL
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- PNP TRANSISTOR
JANSR2N2907AL Hakkında
JANSR2N2907AL, Microchip Technology tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, güvenilirlik ve stabilite gerektiren uygulamalara yönelik tasarlanmıştır. Maksimum 500mW güç dağıtımı, 60V VCE(BR)O breakdown voltajı ve 100 minimum DC current gain (hFE) ile karakterize edilir. -65°C ile 200°C arasında geniş işletme sıcaklığı aralığında çalışır. TO-18 metal kutu paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, düşük sinyalli uygulamalarda ve genel amaçlı PNP çıkıştı gereken tasarımlarda kullanılır. Collector cutoff akımı maksimum 50nA olup, düşük sızıntı özelliği gösterir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 nA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
TO-18 (TO-206AA)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V