Görsel mevcut değil
JANSR2N2907A
JANSR2N2907A Hakkında
JANSR2N2907A, Microchip Technology tarafından üretilen silikon PNP bipolar junction transistördür. Maksimum 500mW güç tüketim kapasitesiyle tasarlanan bu bileşen, 50mA collector akımı ve 60V collector-emitter breakdown voltajında çalışabilir. DC current gain (hFE) 100 (150mA, 10V koşullarında) ile belirlenmiştir. TO-18 metal can paketinde sunulan bu transistör, -65°C ile 200°C arasında güvenli çalışma sunar. Geçmiş analog sinyal işleme uygulamalarında, ses amplifikasyonunda, anahtarlama devrelerinde ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılmıştır. Through-hole montaj tipi nedeniyle geleneksel PCB tasarımlarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 nA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
TO-18 (TO-206AA)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
