Görsel mevcut değil
JANSR2N2905A
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- PNP TRANSISTOR
JANSR2N2905A Hakkında
JANSR2N2905A, Microchip Technology tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-39 metal kutu paketinde sunulmaktadır. 60V maksimum Vce(br)dss darbelenme gerilimi ile 800mW güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 150mA'de 10V'ta minimum 100 değerindedir. 1.6V saturasyon gerilimi ile anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -65°C ile 200°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Genel amaçlı anahtarlama, sinyal amplifikasyonu ve regülatör devre tasarımlarında uygulanır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 µA
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V