Görsel mevcut değil
JANSP2N3636UB
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JANSP2N3636UB Hakkında
JANSP2N3636UB, Microchip Technology tarafından üretilen PNP tipinde bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount 4-SMD No Lead paketinde sunulan bu bileşen, -65°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. 175V Vce(Br) desleme gerilimi ve 1.5W maksimum güç dissipasyonu ile orta seviye uygulamalarda kullanılır. DC current gain (hFE) minimum 50 değeri ile 50mA kolektör akımında belirtilmiştir. 600mV maksimum saturation voltajı ile düşük geçiş kaybına sahiptir. Anahtarlama, amplifikasyon ve sinyallenme uygulamalarında, özellikle endüstriyel kontrol devrelerinde ve güç yönetim sistemlerinde yer bulur.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 µA
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 50mA, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
4-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
1.5 W
Supplier Device Package
UB
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
175 V