Görsel mevcut değil
JANSP2N3636L
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JANSP2N3636L Hakkında
JANSP2N3636L, Microchip Technology tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-5 metal kanister paketi ile sunulmaktadır. 175V maksimum Vce(br) diyelet gerilimi, 50 @ 50mA, 10V koşullarında minimum 50 DC akım kazancı (hFE) ve 600mV maksimum doyum gerilimi özellikleriyle güç elektroniği, amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -65°C ile 200°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında çalışabilen ve 1W maksimum güçle çalıştırılabilen bu bileşen, endüstriyel kontrol devreleri, sinyal işleme ve ısıl gereksinimler yüksek uygulamalarda tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 µA
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 50mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-5
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
175 V