Görsel mevcut değil
JANSP2N3501UB/TR
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR RH SMALL-SIGNAL BJT
JANSP2N3501UB/TR Hakkında
JANSP2N3501UB/TR, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipinde küçük sinyal bipolar junction transistöründür (BJT). Surface mount paketlemesi ile 3-SMD No Lead konfigürasyonunda sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 150V Vce(br) dağılma voltajı ve 300mA maksimum kolektör akımı kapasitesi ile kontrol devrelerinde, RF amplifikatörlerinde ve genel sinyal işleme uygulamalarında çalışabilir. -65°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. 500mW maksimum dissipasyon gücü ve 100 minimum DC akım kazancı (hFE) ile tasarımlanmıştır. RoHS uyumlu Military specification transistördür.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
300 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
3-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
UB
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 15mA, 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
150 V