Görsel mevcut değil
JANSP2N3439UA
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR RH POWER BJT
JANSP2N3439UA Hakkında
JANSP2N3439UA, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmıştır. 350V collector-emitter breakdown voltajı ile güç amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. 1A maksimum collector akımı ve 800mW güç kapasitesi sayesinde endüstriyel kontrol, motor sürücü, güç kaynağı ve sinyal işleme uygulamalarında yer alır. Surface mount 4-SMD, No Lead pakajında sunulan bileşen, -65°C ile +200°C arasında geniş sıcaklık aralığında çalışabilir. 40 minimum DC current gain (hFE) değeri ile stabil amplifikasyon sağlar.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 20mA, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
4-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
UA
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 4mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
350 V