Görsel mevcut değil
JANSP2N2369AUB/TR
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR RH SMALL-SIGNAL BJT
JANSP2N2369AUB/TR Hakkında
JANSP2N2369AUB/TR, Microchip Technology tarafından üretilen radyasyon sertifikalı (RH - Radiation Hardened) NPN tipi küçük sinyal BJT transistörüdür. Surface mount 3-SMD paketinde sunulan bu bileşen, -65°C ile +200°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. 400mW maksimum güç dissipasyonu, 20V maksimum Vce(br) ve 450mV satürasyon voltajı ile karakterize edilir. DC akım kazancı (hFE) minimum 40 değerinde belirtilmiştir. Düşük collector cutoff akımı (400nA max) sayesinde düşük güç tüketimli uygulamalarda tercih edilir. Uzay, savunma ve radyasyon ortamlarında çalışacak analog sinyal işleme, amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde kullanılan endüstriyel sınıf bileşendir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector Cutoff (Max)
400nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 10mA, 1V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C
Package / Case
3-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
400 mW
Supplier Device Package
UB
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
450mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
20 V