Görsel mevcut değil
JANSM2N3700UB/TR
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR RH SMALL-SIGNAL BJT
JANSM2N3700UB/TR Hakkında
JANSM2N3700UB/TR, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi küçük sinyal bipolar junction transistör (BJT) olup, surface mount teknolojisi ile SMD 3 ayaklı kasa tipinde sunulmaktadır. Maksimum 500mW güç tüketimi ve 80V VCE(BR) ile sınıflandırılmış bu bileşen, -65°C ile 200°C arasında çalışma sıcaklığını desteklemektedir. 100 @ 150mA DC akım kazancı (hFE) ile karakterize edilmiş olan transistör, 150mA ile 500mA arasında kolektör akımlarında kullanılabilir. 500mV maksimum doyum gerilimi (Vce sat) ile düşük kayıplar sağlayan bu komponentin 10nA maksimum cutoff akımı, kapalı konumda minimum sızıntı gösterir. Anahtarlama devreleri, sinyal amplifikasyonu, küçük güçlü RF uygulamaları ve genel amaçlı analog/dijital devreler tasarımında yaygın olarak kullanılan bir seçenektir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
3-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
UB
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V