Görsel mevcut değil
JANSM2N3636
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JANSM2N3636 Hakkında
JANSM2N3636, Microchip Technology tarafından üretilen PNP tipinde bir bipolar junction transistör (BJT) olarak tasarlanmıştır. Through hole montajı ile PCB'lere direkt entegre edilebilen bu komponent, TO-39 metal kasa paketinde sunulmaktadır. 175V maksimum VCEO (Collector-Emitter Breakdown Voltage) ile orta gerilim uygulamalarında kullanıma uygundur. 1W maksimum güç disipasyonuna sahip olup, -65°C ile +200°C arasında geniş bir çalışma sıcaklık aralığında çalışabilir. 50mA collector akımında 50 minimum DC Current Gain (hFE) ve 600mV maksimum doyum voltajı ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, özellikle kontrol ve sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 µA
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 50mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
175 V