Görsel mevcut değil
JANSM2N3501UB/TR
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR RH SMALL-SIGNAL BJT
JANSM2N3501UB/TR Hakkında
JANSM2N3501UB/TR, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipinde küçük sinyal bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount SMD paket tipinde sunulan bu transistör, maksimum 300 mA kolektör akımı, 150 V kolektör-emitter gerilimi ve 500 mW güç seviyesinde çalışır. DC akım kazancı (hFE) 100'ün üzerindedir. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-65°C ile +200°C arası) stabil performans sunmaktadır. Radyasyona dayanıklı özelliği (RH versiyonu) sayesinde havacılık, uzay ve askeri uygulamalarda kullanılmaktadır. Anahtarlama devreleri, amplifikasyon uygulamaları ve sinyal işleme sistemlerinde tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
300 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
3-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
UB
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 15mA, 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
150 V