Görsel mevcut değil
JANSM2N3439UA
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR RH POWER BJT
JANSM2N3439UA Hakkında
JANSM2N3439UA, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. Surface mount 4-SMD, No Lead paketinde sunulan bu transistör, 1A maksimum collector akımı ve 350V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 800mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ve 40 minimum DC current gain (hFE) ile amplifikasyon ve anahtarlama işlevlerinde görev alabilir. -65°C ile +200°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, uydu ve askeri uygulamalarda (JANS sertifikası) işlevselliğini gösterir. 500mV maksimum saturation voltajı ile hızlı anahtarlama ve düşük güç kaybı sağlar.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 20mA, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
4-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
UA
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 4mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
350 V