2.000₺ ve üzeri siparişlerinizde kargo ücretsizdir.
JANSL2N3634UB Görsel mevcut değil

Görsel mevcut değil

JANSL2N3634UB

Üretici
Microchip
Kılıf / Paket
Açıklama
NPN TRANSISTOR

JANSL2N3634UB Hakkında

JANSL2N3634UB, Microchip Technology tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek güvenilirlik gerektiren askeri ve uzay uygulamaları için tasarlanmıştır. Surface mount UB paket içinde sunulan bu bileşen, -65°C ile +200°C arasında geniş sıcaklık aralığında çalışabilir. Maksimum 1W güç tüketimi, 140V collector-emitter breakdown voltajı ve 600mV saturation voltajı ile düşük sinyaller ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. DC current gain (hFE) 50 @50mA/10V olup, gücü sınırlı uygulamalarda transistör kontrol ve anahtarlama işlevlerinde yer alır. Dar işletim koşulları ve hassas uygulamalar için tercih edilen bir bileşendir.

Ürün Özellikleri

12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max) 10 µA
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 50mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case 4-SMD, No Lead
Part Status Active
Power - Max 1 W
Supplier Device Package UB
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 140 V