Görsel mevcut değil
JANSL2N3440UA
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR RH POWER BJT
JANSL2N3440UA Hakkında
JANSL2N3440UA, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount 4-SMD paketinde sunulan bu transistör, maksimum 1A kolektör akımı ve 250V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 800mW maksimum power dissipation kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde çalışmaya uygundur. -65°C ile +200°C arasında geniş işletme sıcaklık aralığında kullanılabilir. DC current gain değeri 20mA kolektör akımında minimum 40'tır. Endüstriyel ve askeri uygulamalara yönelik JAN sertifikasına sahiptir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 20mA, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
4-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
UA
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 4mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
250 V